Pentru prima data, cercetatorii au prezentat un proiect de chip pe 64Mb, care permite plasarea mai multor straturi de memorii PCM pe o singura matrita.
Memorii de viteza mare
Aceasta dezvoltare deschide calea catre construirea unor dispozitive de memorie de mare viteza, cu capacitate mai mare, consum energetic redus si economii de spatiu ideale pentru memorie RAM si aplicatii de stocare. Realizarile sunt rezultatul unui program comun de cercetare, derulat de Numonyx si Intel, care s-a concentrat asupra explorarii straturilor de celule PCM stratificate sau multistratificate.
In cadrul acestui program, cercetatorii celor doua companii pot acum sa produca o celula de memorie integrata vertical numita PCMS. PCMS este alcatuita dintr-un element PCM stratificat cu Ovonic Threshold Switch (OTS), recent introdus in uz, intr-un strat autentic de tip " cross point ". Capacitatea de a strafica sau aseza straturi de PCMS permite scalabilitate cu densitati de memorie mai mari, dar in acelasi timp mentine caracteristicile de performanta ale PCM.
Cross point
Celulele de memorie sunt construite prin suprapunerea unui element de stocare si a unui selector, astfel, mai multe celule creeaza straturi de memorie.
Cercetatorii au reusit insa sa foloseasca un strat foarte subtire de OTS cu dublu terminal ca selector, corespunzator proprietatilor fizice si electrice pentru scalare PCM. Cu compatibilitatea PCM(S) in strat subtire, se pot obtine acum mai multe array-uri de memorie tip "cross point".
Odata integrate si incorporate intr-un array autentic de tip "cross point", straturile combinate cu circuite CMOS pentru functii de decodificare, detectare si logica.
