IT & C

Samsung Electronics începe producţia în masă a memoriilor DRAM pe tehnologia de 60 nanometri

Samsung Electronics a demarat producţia pe scară largă a memoriilor DDR2 DRAM ( Dynamic Random Access Memory) 1Gigabit (Gb) folosind procesul de 60 nanometri . Utilizarea noii tehnologii este un pas semnificativ în creşterea eficienţei de producţie, cu 40% faţă de procesul de 80 nm folosit în fabricaţia de module DRAM de la începutul anului 2006, şi dubland practic productivitatea procesului tehnologic pe 90 nm. Disponibilitatea amplă pe piaţă a memoriilor DRAM 1Gb va creşte cererea faţă de DRAM-urile de densitate ridicată, în special cum sistemul de operare Vista impune cerinţe DRAM de minim 1 GB ( Gigabyte ). Linia de module Samsung DRAM 1Gb pe 60 nm include densităţi de 512 MB, 1 GB şi 2 GB la viteze de 667 Mbps ori 800 Mbps.

Urmareste Acasa.ro pe Facebook! Comenteaza si vezi in fluxul tau de noutati de pe Facebook cele mai noi si interesante articole de pe Acasa.ro.

  •  
  •  

Articol scris de

Vezi toate articolele

Sfatul expertului

Expert Acasa.ro, Ovidiu Leonte: Cum se transporta un computer

Expertul Acasa.ro, Ovidiu Leonte, specialist IT&C

Pune o intrebare


Citeste pe divahair.ro

Top

Cauta-ti perechea