Inginerii americani au anuntat ca au creat tehnologii menite sa duca microelectronica la un nou stadiu de dezvoltare. Profesorul Jesus del Alamo de Institutul Tehnologic din Massachusetts estimeaza ca in 15 ani vor fi atinse limitele de marime si performanta ale tranzistorilor din siliciu . Daca nu se iau masuri in acest sens destul de repede, revolutia microelectrinicii, care ne-a imbogatit vietile in atatea moduri diferite, va ajunge intr-un punct mort , a declarat del Alamo. Drept urmare, oamenii de stiinta lucreaza la noi materiale si tehnologii care pot depasi limitarile siliciului. Un asemenea material studiat de echipa lui del Alamo este indiu galiu arseniu, sau InGaAs - un material in care electronii circula de cateva ori mai rapid decat in siliciu. Astfel, ar trebui sa se poate crea transistori foarte mici care sa schimbe si sa proceseze informatii foarte rapid. Echipa lui del Alamo a fabricat de curand transitori InGaAs care pot transporat un flux de 2.5 ori mai mare decat dispozitivele din siliciu.