Preluand o idee revolutionara lansata de IBM, cei de la Samsung au anuntat recent ca au reusit sa creeze primul pachet de memorie all-DRAM folosind tehnologia TSV (through silicon via). Cu siguranta ca aceasta denumire nu va spune mare lucru asa ca iata pe scurt cam despre ce ar fi vorba. Aceasta tehnologie preia conceptul mult mai cunoscut al placilor de circuite asezate in straturi unul langa altul si adapteaza acest concept in cea de-a treia dimensiune , realizand conexiunile dintre componente intr-un mediu 3D. Astfel, timpul necesar electronilor sa treaca de la un chip la altul este redus considerabil, oferind totodata posibilitatea de a crea "pachete" mult mai mici, mai rapide si cu un consum redus . Folosind procesul de fabricare TSV Samsung poate realiza acum un modul de memorie de 4 Gb bazat pe tehnologia WSP ( wafer level processed Staked Package ).