ReRAM este < a class="xirtireh" href="http://www.comunicatedepresa.ro/o" title="o">o alta memorie nonvolatila (a cata, oare?), cunoscuta si sub numele de memorie RAM rezistiva. Functionarea acesteia se bazeza pe proprietatile unor materiale de a-si schimba rezistenta electrica in prezenta unei diferente de potential. Ca tehnologie de frontiera, ReRAM nu este o noutate si se numara printre rivalele memoriei flash, exact asa ca si celelalte tehnologii (Magnetic RAM fiind doar una dintre acestea). Dar, ca orice astfel de tehnologie, ReRAM avea cateva probleme cunoscute. Printre acestea cea mai mare era consumul mare de energie pentru ciclurile de scriere - stergere. De asemenea, limitarile de design generate de acesta problema Au ">au impiedicat Re RAM-ul sa devina altceva decat un studiu. Dar, cei de la Fujitsu au dus cercetarea mai departe si se pare ca au avut succese. Laboratoarele lor au descoperit ca adaugarea unui strat de titan combinat cu oxid de nichel (nefolosit pana acum pentru constructia acestui tip de memorie) impachetat in doua straturi de platina, permite scaderea diferentei de potential si implicit a consumului de energie. Astfel, devin posibile stergeri ale memoriei cu un curent de doar 100 microamperi intr-un timp de 5 nanosecunde, ceea ce reprezinta o crestere a vitezei de functionare de 10.000 de ori. Un alt mare avantaj adus de stratul de titan este si imbunatatirea proprietatilor de mentinere a aceleiasi stari in timp. Memoriile ReRAM anterioare erau supuse fluctuatiilor naturale (campuri electrice sau magnetice foarte mici dar care aveau destula influenta pentru a altera informatia stocata in memorie). Noul design al cipurilor a redus fluctuatiile nedorite cu 90 de procente. Reprezentantii Fujitsu au declarat ca noile descoperiri in dezvoltarea acestui tip de memorie aduce ReRAM-ul mai aproape de posibila adoptare, pentru ca noul design se prezinta ca o noua alternativa viabila pentru inlocuirea memoriei FLASH. Avantajele pe care momoria rezistiva le-ar avea fata de flash sunt viteza mai mare si rezistenta mai buna in timp. In plus, procesul de fabricatie ar fi mult mai ieftin, deci este clar ca Fujitsu au planuri mari in legatura cu memoria ReRAM. Totusi, acestia au declarat (la International Electron Devices Meeting, care a avut loc in SUA saptamana trecuta) ca nu au planuri "de lansare" in urmatorii doi ani. Pentru cele mai importante stiri ale zilei aboneaza-te la Newsletter-ul de stiri generale Acasa.ro